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Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionierunternehmen und weltweiter Anbieter von extrem zuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Energieumwandlungslösungen – hat heute die Verfügbarkeit seines dritten Designtools für Hochleistungs-GaN bekannt gegeben, das einen digitalen Signalcontroller von Microchip Technology verwendet. Das TDINV3000W050B-KIT ist ein nicht isoliertes 3,0-kW-DC/AC-Vollbrücken-Wechselrichter-Evaluierungsboard. Es verbindet den TP65H050G4WS SuperGaN®-FET von Transphorm mit dem digitalen Signalcontroller (DSC) dsPIC33CK von Microchip, der eine vorab programmierte Firmware beinhaltet, die leicht an die Anforderungen der Endanwendung angepasst werden kann. Der Einsatz des neuen Boards unterstreicht die herausragende Leistung von Transphorm im Bereich GaN und bietet einen Eindruck davon, wie GaN für allgemeine industrielle und Erneuerbare-Energie-Systeme einsetzbar ist.

Wie bei den beiden vorherigen SuperGaN/Microchip DSC-Evaluierungsboards (dem 4 kW-TDTTP4000W066C-KIT) und dem 2,5 kW-TDTTP2500B066B-KIT) bietet das globale technische Supportteam von Microchip auch beim einphasigen 3,0 kW-Wechselrichterboard seine Unterstützung bei der Firmware-Entwicklung an.

„Unsere digitalen Signalcontroller dsPIC® und unser Know-how in der Firmware-Anpassung ergänzen die GaN-Technologie von Transphorm und helfen, die Entwicklung zu beschleunigen und das Design zu vereinfachen“, so Joe Thomsen, Vice President, MCU16 Business Unit, Microchip. „Wir sind stolz darauf, gemeinsam mit Transphorm eine flexible und hocheffiziente Leistungsumwandlung für ein breites Spektrum nachhaltiger Anwendungen zu unterstützen.“

„Hochspannungs-Stromversorgungssysteme wie EV-Ladegeräte, USV und Solar-Wechselrichter entwickeln sich zu Wachstumsmärkten für GaN. Die GaN-Plattform von Transphorm wurde speziell für diese Anwendungsbereiche entwickelt“, erklärt Philip Zuk, SVP of Business Development and Marketing, Transphorm. „Die Kooperation mit Microchip bei der Firmware ermöglicht uns, wichtige, nachhaltige Stromversorgungsprojekte unserer Kunden auf besonders effiziente Weise zu unterstützen. Sie beseitigt mögliche Einschränkungen, die bei Programmierung der Firmware auftreten können, vereinfacht die Entwicklung und verkürzt die Markteinführungszeit. Diese Zusammenarbeit ermöglicht dem Sektor der erneuerbaren Energien und anderen Branchen, alle Vorteile von GaN auszuschöpfen.“

Das TDINV3000W050B-KIT bietet folgende Merkmale:

Das Board verfügt über das digitale Power-Plug-in-Modul (PIM) dsPIC33CK von Microchip zur Steuerung des PFC-Antriebsstrangs und verfügt folgende vorprogrammierte PIM-Funktionen:

Firmware-Updates für den dsPIC33CK PIM sind auf der Website von Microchip als Download verfügbar.

Die DSCs dsPIC® von Microchip werden unterstützt von einer Reihe von Embedded-Design-Tools, die Entwicklern – auch solchen mit begrenztem Know-how – die Arbeit erleichtern. Diese Tools bieten eine intuitive grafische Benutzeroberfläche zur Geräteinitialisierung über die kostenlose integrierte Entwicklungsumgebung MPLAB® X von Microchip. Die Softwaretools werden durch ein komplettes Sortiment an Programmierer-, Debugger- und Emulator-Zubehör ergänzt.

Das TDINV3000W050B-KIT ist bei Digi-Key und Mouser erhältlich.

Das Evaluierungsboard ist für die Entwicklung von Vehicle-to-Grid (V2G)-Ladesystemen, Solar- oder Photovoltaik (PV)-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USVs) und anderen Hochspannungsanwendungen konzipiert.

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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Originalversion auf businesswire.com ansehen: https://www.businesswire.com/news/home/20230320005263/de/

Heather Ailara +1.973.567.6040 heather.ailara@transphormusa.com

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